Laser Semikonduktor

Laser semikonduktor merupakan golongan laser yang sangat penting saat ini, bukan hanya karena berbagai aplikasi secara langsung, namun juga sebagai pembangkit untuk laser zat padat. material aktif laser semikonduktor menggunakan material semikonduktor direct-gap, sehingga semikonduktor elementer seperti silikon dan germanium tidak dapat digunakan. Mayoritas bahan semikonduktor untuk laser merupakan kombinasi antara golongan IIIA pada Tabel periodik (Al, Ga, In) dan golongan IVA (N, P, As, SB), sehingga membentuk compound III-IV, seperti GaAs, InGaAsP, AlGaAs. Laser ini memiliki panjang gelombang sekitar 630 nm – 1600 nm. Baru-baru ini dikembangkan laser InDaN yang dapat memancarkan cahaya pada panjang gelombang biru (~ 400 nm). Disamping itu ada juga beberapa laser yang menggunakan kombinasi golongan II-VI (CdSe, ZnS) yang memancarkan panjang gelombang daerah hijau-biru. Prinsip kerja laser semikonduktor dapat dijelaskan dengan bantuan Gb. 2.4., yang menunjukkan pita valensi V dan pita konduksi C yang dipisahkan oleh energi gap Eg. Untuk semikonduktor non-degenerate, pita valensi terisi penuh oleh elektronelektron, sedangkan pita konduksi kosong sepenuhnya.

Sekarang anggap, beberapa elektron tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi akibat mekanisme pumping. Setelah waktu tertentu (~ 1 ps), elektron-elektron pada pita konduksi akan turun ke tingkatan energi paling bawah di pita konduksi, sementara itu beberapa elektron di tingkatan energi paling atas pada pita valensi turun ke tingkatan energi yang lebih rendah, sehingga meninggalkan lubang pada pita valensi (Gb. 2.4(b)). Situasi ini digambarkan oleh tingkatan kuasi-Fermi E’FC untuk pita konduksi dan E’FV untuk pita valensi. Emisi cahaya terjadi jika suatu elektron pada pita valensi meluruh ke pita valensi dan berekombinasi dengan suatu lubang (hole). Pada kondisi tertentu, dapat terjadi emisi terstimulasi dari proses rekombinasi sehingga menghasilkan lasing.
Fenomena laser pada semikonduktor pertama kali diamati pada tahun 1962, menggunakan dioda sambungan p-n pada bahan semikonduktor GaAs.
Laser semikonduktor memiliki aplikasi yang sangat luas baik untuk aplikasi daya rendah maupun daya tinggi, diantaranya :
a. Laser AlGaAs berdaya rendah (5 – 20 Watt) banyak digunakan dalam CD player dan printer, sedangkan yang berdaya tinggi digunakan sebagai pumping laser zatpadat.
b. Laser InGaAsP/InP memiliki panjang gelombang 1310 nm dan 1550 nm, sehingga digunakan untuk komunikasi optik.
c. Laser InGaAs/GaAs memiliki panjang gelombang emisi sekitar 900 – 1100 nm, sehingga banyak digunakan sebagai pumping Er-doped fiber amplifier dan laser Yb:Er:gelas dan Yb:YAG. Disamping itu jenis laser ini digunakan untuk inerkneksi optik, komunikasi optik dan pemrosesan sinyal optik.